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IRFS3307ZTRLPBF  与  IRFS3307TRLPBF  区别

型号 IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307TRLPBF
唯样编号 A-IRFS3307ZTRLPBF A-IRFS3307TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 75V, 120A, 0.0058 ohms, D2-PAK Single N-Channel 75 V 200 W 120nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 230W(Tc) 200W(Tc)
漏源极电压Vds 75V 75V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 130A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V 50V
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V 5150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF 5150pF @ 50V
导通电阻Rds(On) 5.8mΩ@75A,10V 6.3mΩ@75A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC 180nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3307ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6mΩ@10V 182W 175°C 3V 60V 75A

¥26.5487 

阶梯数 价格
5: ¥26.5487
100: ¥19.6657
400: ¥14.5672
800: ¥12.6671
40 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6.6mΩ@4.5V,5.5mΩ@10V,6.1mΩ@5V 300W 175°C 1.5V 75V 75A

¥21.9934 

阶梯数 价格
800: ¥21.9934
0 对比
IRFS3307TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@75A,10V N-Channel 75V 130A D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6.3mΩ@10V 300W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比
BUK7607-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 7.1mΩ@10V 203W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比

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