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IRFS3307ZTRLPBF  与  BUK7606-75B,118  区别

型号 IRFS3307ZTRLPBF BUK7606-75B,118
唯样编号 A-IRFS3307ZTRLPBF A-BUK7606-75B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 75V, 120A, 0.0058 ohms, D2-PAK MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 300W
输出电容 - 845pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 120A 75A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V -
输入电容 - 5585pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
180+ :  ¥29.7875
400+ :  ¥23.2715
800+ :  ¥19.075
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3307ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D2PAK

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BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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1: ¥13.6982
100: ¥10.3774
400: ¥8.5061
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¥18.8761 

阶梯数 价格
200: ¥18.8761
400: ¥15.4722
800: ¥13.4541
0 对比
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BUK7606-75B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 75V 75A

¥29.7875 

阶梯数 价格
180: ¥29.7875
400: ¥23.2715
800: ¥19.075
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暂无价格 0 对比

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