IRFS3306TRLPBF 与 STB160N75F3 区别
| 型号 | IRFS3306TRLPBF | STB160N75F3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS3306TRLPBF | A3-STB160N75F3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 9.25mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3mΩ | - |
| 上升时间 | 76ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 85nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 230S | - |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 160A | - |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | 77ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4520pF @ 50V | - |
| 高度 | 4.4mm | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 230W | - |
| 典型关闭延迟时间 | 40ns | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4520pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 15ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 27,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS3306TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) D2PAK 60V 160A 3.3mΩ 20V 230W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 27,000 | 对比 |
|
BUK763R9-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 263W 175°C 3V 60V 100A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
|
|
BUK764R4-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 234W 175°C 3V 60V 100A |
暂无价格 | 70 | 对比 |
|
|
PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 211W 175°C 3V 60V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BUK964R2-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 263W 175°C 1.7V 60V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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