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IRFS3306TRLPBF  与  BUK763R9-60E,118  区别

型号 IRFS3306TRLPBF BUK763R9-60E,118
唯样编号 A-IRFS3306TRLPBF A-BUK763R9-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.25mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ -
上升时间 76ns -
Qg-栅极电荷 85nC -
栅极电压Vgs 20V 3V
正向跨导 - 最小值 230S -
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 160A 100A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 5609pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 77ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
高度 4.4mm -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 230W 263W
输出电容 - 737pF
典型关闭延迟时间 40ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@10V
典型接通延迟时间 15ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 60V 160A 3.3mΩ 20V 230W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R9-60E_SOT404 N-Channel 263W 175℃ 3V 60V 100A

暂无价格 100 对比
BUK764R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R4-60E_SOT404 N-Channel 234W 175℃ 3V 60V 100A

¥17.1751 

阶梯数 价格
1: ¥17.1751
100: ¥13.0114
400: ¥10.6651
800: ¥9.274
70 对比
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60BS_SOT404 N-Channel 211W 175℃ 3V 60V 100A

¥10.0823 

阶梯数 价格
200: ¥10.0823
400: ¥8.2642
800: ¥7.1863
0 对比
BUK764R0-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R0-55B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 55V 75A

¥16.0433 

阶梯数 价格
200: ¥16.0433
400: ¥13.1503
800: ¥11.435
0 对比

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