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IRFS3207ZTRRPBF  与  BUK964R8-60E,118  区别

型号 IRFS3207ZTRRPBF BUK964R8-60E,118
唯样编号 A-IRFS3207ZTRRPBF A-BUK964R8-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 234W
输出电容 - 607pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D²PAK(TO-263) SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 170A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF @ 50V -
输入电容 - 7282pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.8mΩ@5V,4.4mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
190+ :  ¥14.9703
400+ :  ¥11.5156
800+ :  ¥10.1908
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170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
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¥14.9703 

阶梯数 价格
190: ¥14.9703
400: ¥11.5156
800: ¥10.1908
0 对比

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