IRFS3207TRLPBF 与 STB160N75F3 区别
| 型号 | IRFS3207TRLPBF | STB160N75F3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS3207TRLPBF | A-STB160N75F3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 300W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 75V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 180A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7600pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 260nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7600pF @ 50V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 4.5mΩ@75A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 260nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS3207TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||
|
BUK964R4-40B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 4.8mΩ@4.5V,4mΩ@10V,4.4mΩ@5V 254W 175°C 1.5V 40V 75A |
￥16.8642
|
0 | 对比 | ||||
|
|
STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
PSMN4R4-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 4.5mΩ@10V 306W 175°C 3V 80V 100A |
￥17.5238
|
0 | 对比 | ||||
|
|
STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
