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IRFS3206TRRPBF  与  AOB266L  区别

型号 IRFS3206TRRPBF AOB266L
唯样编号 A-IRFS3206TRRPBF A36-AOB266L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 20
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 3.8mΩ
Qgd(nC) - 7
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 210A 140A
Ciss(pF) - 5650
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 36
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 268W
Qrr(nC) - 145
VGS(th) - 3.2
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
Coss(pF) - 720
Qg*(nC) - 65*
库存与单价
库存 0 384
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥11.583
100+ :  ¥9.823
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
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TO-263

¥11.583 

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5: ¥11.583
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阶梯数 价格
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阶梯数 价格
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