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IRFS3206TRRPBF  与  PHB191NQ06LT,118  区别

型号 IRFS3206TRRPBF PHB191NQ06LT,118
唯样编号 A-IRFS3206TRRPBF A-PHB191NQ06LT,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 300W
输出电容 - 1045pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 210A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
输入电容 - 7665pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥13.6193
400+ :  ¥11.1634
800+ :  ¥9.7073
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK

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阶梯数 价格
200: ¥14.1332
400: ¥11.5846
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¥13.6193 

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800: ¥9.7073
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