首页 > 商品目录 > > > > IRFS3206TRRPBF代替型号比较

IRFS3206TRRPBF  与  AOB264L  区别

型号 IRFS3206TRRPBF AOB264L
唯样编号 A-IRFS3206TRRPBF A-AOB264L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 19A(Ta),140A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 94nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥11.583 

阶梯数 价格
5: ¥11.583
100: ¥9.823
384 对比
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN004-60B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比
AOB66616L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥15.3761 

阶梯数 价格
170: ¥15.3761
400: ¥12.0249
800: ¥9.3794
0 对比
AOB264L AOS 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比
AUIRFS3206TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售