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IRFS3107TRLPBF  与  STB160N75F3  区别

型号 IRFS3107TRLPBF STB160N75F3
唯样编号 A-IRFS3107TRLPBF A3-STB160N75F3
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 75 V 3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@140A,10V -
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 230A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9370pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9370pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 10,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3107TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404 N-Channel 293W 175℃ 1.7V 60V 120A

¥13.3862 

阶梯数 价格
210: ¥13.3862
400: ¥11.3442
800: ¥10.4075
0 对比
AOB264L AOS 功率MOSFET

19A(Ta),140A(Tc) N-Channel ±20V 3 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.1W(Ta),333W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 4.7W(Ta),136W(Tc) ±20V TO-263 -55℃~175℃(TJ) 60V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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