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IRFS3107TRLPBF  与  PSMN3R0-60BS,118  区别

型号 IRFS3107TRLPBF PSMN3R0-60BS,118
唯样编号 A-IRFS3107TRLPBF A-PSMN3R0-60BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 75 V 3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@140A,10V -
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 306W
输出电容 - 971pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 230A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9370pF @ 50V -
输入电容 - 8079pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.2mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9370pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥14.2095
400+ :  ¥11.6471
800+ :  ¥10.128
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3107TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
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BUK963R3-60E_SOT404 N-Channel 293W 175℃ 1.7V 60V 120A

¥15.0758 

阶梯数 价格
200: ¥15.0758
400: ¥12.3572
800: ¥10.7454
0 对比
AUIRFS3107TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

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STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比
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PSMN3R0-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 100A

¥14.2095 

阶梯数 价格
200: ¥14.2095
400: ¥11.6471
800: ¥10.128
0 对比

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