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IRFS3107TRL7PP  与  IRFS7734-7PPBF  区别

型号 IRFS3107TRL7PP IRFS7734-7PPBF
唯样编号 A-IRFS3107TRL7PP A-IRFS7734-7PPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFS3107 Series 75 V 2.6 mOhm Surface Mount HEXFET Power MOSFET - TO-263-7 Single N-Ch 75 V 197 A 3.05 mOhm 180 nC Surface Mount HEXFET Mosfet - D2PAK-7
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ@160A,10V 3.05mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 294W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK(7-Lead) D²PAK(TO-263AB)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 260A 197A
系列 HEXFET® HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.7V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 50V 10130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V 270nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.7V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 50V 10130pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V 270nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3107TRL7PP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.6mΩ@160A,10V N-Channel 75V 260A D2PAK(7-Lead)

暂无价格 0 当前型号
IRFS7734-7PPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 294W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.05mΩ@100A,10V N-Channel 75V 197A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRFS7734TRL7PP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 294W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.05mΩ@100A,10V N-Channel 75V 197A D2PAK(7-Lead)

暂无价格 0 对比

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