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IRFS3006TRLPBF  与  BUK762R4-60E,118  区别

型号 IRFS3006TRLPBF BUK762R4-60E,118
唯样编号 A-IRFS3006TRLPBF A-BUK762R4-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@170A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 349W
输出电容 - 1066pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 270A 120A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
输入电容 - 9380pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2.4mΩ@25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥18.8932
400+ :  ¥15.4862
800+ :  ¥13.4663
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3006TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK762R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R4-60E_SOT404 N-Channel 349W -55°C~175°C ±20V 60V 120A

¥18.8932 

阶梯数 价格
200: ¥18.8932
400: ¥15.4862
800: ¥13.4663
4,000 对比
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 120A

¥16.1373 

阶梯数 价格
200: ¥16.1373
400: ¥13.2273
800: ¥11.502
0 对比
BUK762R6-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R6-60E_SOT404 N-Channel 324W 175℃ 3V 60V 120A

¥17.6672 

阶梯数 价格
200: ¥17.6672
400: ¥14.4813
800: ¥12.5924
0 对比
IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IPB120N06S402ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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