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IRFRC20TRPBF  与  STD2LN60K3  区别

型号 IRFRC20TRPBF STD2LN60K3
唯样编号 A-IRFRC20TRPBF A3-STD2LN60K3
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252) MOSFET N CH 600V 2A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4Ω@1.2A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),42W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DPAK TO-252-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 12,500
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFRC20TRPBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 4.4Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A

暂无价格 0 当前型号
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A

暂无价格 20,000 对比
STD2LN60K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 12,500 对比
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

暂无价格 7,500 对比
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A

¥2.376 

阶梯数 价格
30: ¥2.376
100: ¥1.826
1,250: ¥1.595
2,500: ¥1.518
5,000 对比
STD2LN60K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.75 

阶梯数 价格
20: ¥2.75
100: ¥2.112
1,250: ¥1.837
2,500: ¥1.749
2,500 对比

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