首页 > 商品目录 > > > > IRFR9220TRPBF代替型号比较

IRFR9220TRPBF  与  FQD5P20TM  区别

型号 IRFR9220TRPBF FQD5P20TM
唯样编号 A-IRFR9220TRPBF A-FQD5P20TM
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 200 V 1.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252) P-Channel 200 V 1.4 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.5W,42W 2.5W(Ta),45W(Tc)
功率 - 2.5W(Ta),45W(Tc)
漏源极电压Vds 200V 200V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 3.6A(Tc) 3.7A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 430pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 1.5 Ohms @ 2.2A,10V 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 430pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9220TRPBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

3.6A(Tc) P-Channel 1.5 Ohms @ 2.2A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 200V

暂无价格 0 当前型号
FQD5P20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

3.7A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),45W(Tc) 1.4 Ohms@1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 200V 3.7A 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK

¥3.684 

阶梯数 价格
20: ¥3.684
100: ¥2.832
1,250: ¥2.472
2,195 对比
FQD5P20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

3.7A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),45W(Tc) 1.4 Ohms@1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 200V 3.7A 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
FQD5P20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

3.7A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),45W(Tc) 1.4 Ohms@1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 200V 3.7A 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
FQD5P20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

3.7A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),45W(Tc) 1.4 Ohms@1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 200V 3.7A 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售