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IRFR9024NTRPBF  与  IRFR9024NTRRPBF  区别

型号 IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRRPBF
唯样编号 A-IRFR9024NTRPBF A-IRFR9024NTRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 38W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 175mΩ@6.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 175 毫欧 @ 6.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 38W(Tc) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 55V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.11W(Ta) 160mΩ@2.1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 70V 5.7A

¥3.179 

阶梯数 价格
20: ¥3.179
100: ¥2.662
536 对比
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR9024NTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.11W(Ta) 160mΩ@2.1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 70V 5.7A

暂无价格 0 对比
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.11W(Ta) 160mΩ@2.1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 70V 5.7A

暂无价格 0 对比

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