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IRFR9024NTRLPBF  与  IRFR9024NTRPBF  区别

型号 IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRPBF
唯样编号 A-IRFR9024NTRLPBF A-IRFR9024NTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 38 W 19 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 175mΩ@6.6A,10V 175mΩ@6.6A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 38W(Tc) 38W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 11A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V 350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V 19nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V 350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V 19nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥3.135 

阶梯数 价格
20: ¥3.135
100: ¥2.409
1,250: ¥2.101
2,500: ¥2.002
2,520 对比
IRFR9024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR9024NTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比

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