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IRFR825TRPBF  与  AOD5N50M  区别

型号 IRFR825TRPBF AOD5N50M
唯样编号 A-IRFR825TRPBF A-AOD5N50M
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.3Ω@3.7A,10V 1.6 Ω @ 2.5A,10V
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 119W(Tc) 104W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak TO-252,(D-Pak)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -50°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A 5A(Tc)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1346pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1346pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR825TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.3Ω@3.7A,10V N-Channel 500V 6A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD5NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD5NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.717 

阶梯数 价格
20: ¥2.717
100: ¥2.101
128 对比
STD5N52K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD5N50M AOS 功率MOSFET

5A(Tc) N-Channel ±30V 1.6 Ω @ 2.5A,10V TO-252,(D-Pak) 104W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 500V

暂无价格 0 对比
STD6N52K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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