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IRFR7446TRPBF  与  TK65S04K3L(T6L1,NQ  区别

型号 IRFR7446TRPBF TK65S04K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-IRFR7446TRPBF A-TK65S04K3L(T6L1,NQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 IRFR7446TRPBF Series 40 V 56 A 3.9 mOhm Hexfet Power Mosfet - TO-252-3 (DPAK) MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@56A,10V -
产品状态 - 最后售卖
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2800 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 63 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak DPAK+
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 65A(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3150pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 98W(Tc) 88W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.5 毫欧 @ 32.5A,10V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3150pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR7446TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 98W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.9mΩ@56A,10V N-Channel 40V 120A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
RD3G500GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

50A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 35W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 40V

¥7.4264 

阶梯数 价格
30: ¥7.4264
50: ¥5.7207
100: ¥5.1554
300: ¥4.7817
500: ¥4.705
1,000: ¥4.6475
2,471 对比
RD3G500GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

50A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 35W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 40V

暂无价格 0 对比
TK65S04K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 40 V 65A(Ta)

暂无价格 0 对比

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