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IRFR5505TRPBF  与  NTD2955T4G  区别

型号 IRFR5505TRPBF NTD2955T4G
唯样编号 A-IRFR5505TRPBF A36-NTD2955T4G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 0.11 Ohm 32 nC 57 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@9.6A,10V 180mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 57W(Tc) 55W(Tj)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,Dpak,SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 12A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V 750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V 30nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.992
100+ :  ¥2.31
1,250+ :  ¥2.002
2,500+ :  ¥1.914
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5505TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.452 

阶梯数 价格
40: ¥1.452
100: ¥1.122
1,250: ¥0.9504
2,500: ¥0.88
11,370 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥2.992 

阶梯数 价格
20: ¥2.992
100: ¥2.31
1,250: ¥2.002
2,500: ¥1.914
2,500 对比
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0615
2,352 对比
AUIRFR5505TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V -55°C~150°C(TJ) 18A 110mΩ 20V 57W P-Channel 车规

暂无价格 0 对比

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