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IRFR5410TRPBF  与  IRFR5410PBF  区别

型号 IRFR5410TRPBF IRFR5410PBF
唯样编号 A-IRFR5410TRPBF A-IRFR5410PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 66 W 58 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA Single P-Channel 100 V 66 W 58 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 205mΩ@7.8A,10V 205mΩ@7.8A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 66W(Tc) 66W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 13A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 25V 760pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V 58nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 205mΩ@7.8A,10V P-Channel 100V 13A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,500: ¥1.265
4,525 对比
IRFR5410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 205mΩ@7.8A,10V P-Channel 100V 13A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR5410TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 100V 13A(Tc) ±20V 66W(Tc) 205mΩ@7.8A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR5410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 66W(Tc) 205mΩ@7.8A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 13A D-Pak

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

暂无价格 0 对比

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