IRFR540ZTRPBF 与 PSMN025-100D,118 区别
| 型号 | IRFR540ZTRPBF | PSMN025-100D,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR540ZTRPBF | A-PSMN025-100D,118 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 47A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28.5mΩ@21A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 91W(Tc) | 150W |
| 输出电容 | - | 340pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | SOT428 |
| 连续漏极电流Id | 35A | 47A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 输入电容 | - | 2600pF |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 25mΩ@10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 50µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1690pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 59nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR540ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 35A ±20V 91W(Tc) 28.5mΩ@21A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 |
|
BUK7227-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 167W 185°C 3V 100V 48A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
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PSMN025-100D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 100V 47A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOD2916 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 25A 50W 34mΩ@10A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
AOD2910 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFR540ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 35A(Tc) ±20V 91W(Tc) 28.5mΩ@21A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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