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IRFR5305TRPBF  与  SPD30P06PGBTMA1  区别

型号 IRFR5305TRPBF SPD30P06PGBTMA1
唯样编号 A-IRFR5305TRPBF A-SPD30P06PGBTMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@16A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1535pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 31A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1.7mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 75 毫欧 @ 21.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 当前型号
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.486
1,250: ¥2.167
2,500: ¥2.035
5,000 对比
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.266 

阶梯数 价格
30: ¥2.266
100: ¥1.738
501 对比
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
SPD30P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD30P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
SPD30P06P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD30P06PGBTMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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