IRFR5305TRLPBF 与 AUIRFR5305TRL 区别
| 型号 | IRFR5305TRLPBF | AUIRFR5305TRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR5305TRLPBF | A-AUIRFR5305TRL |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@16A,10V | 65mΩ |
| 上升时间 | - | 66ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 63nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 8S |
| 封装/外壳 | D-Pak | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 31A | 31A |
| 配置 | - | SingleQuintSource |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | 10V |
| 下降时间 | - | 63ns |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF @ 25V | 1200pF @ 25V |
| 高度 | - | 2.3mm |
| 漏源极电压Vds | 55V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | 110W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 39ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 63nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 63nC @ 10V | 63nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR5305TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@16A,10V P-Channel 55V 31A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFR5305TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) 65mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 55V 31A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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AOD409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V ±20V -26A 60W 40mΩ@-20A,-10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SPD30P06P G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 30A 75mΩ -10V 125W P-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRFR5305TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V -55°C~175°C(TJ) 31A 65mΩ 20V 110W P-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |