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IRFR5305TRLPBF  与  AUIRFR5305TRL  区别

型号 IRFR5305TRLPBF AUIRFR5305TRL
唯样编号 A-IRFR5305TRLPBF A-AUIRFR5305TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@16A,10V 65mΩ
上升时间 - 66ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 63nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 8S
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 31A 31A
配置 - SingleQuintSource
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 63ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 1200pF @ 25V
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 110W
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V 63nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5305TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@16A,10V P-Channel 55V 31A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V ±20V -26A 60W 40mΩ@-20A,-10V -55℃~175℃

¥2.211 

阶梯数 价格
30: ¥2.211
100: ¥1.705
1,250: ¥1.474
2,117 对比
DMPH6050SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.9W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 7.2A(Ta),23.6A(Tc)

¥2.255 

阶梯数 价格
30: ¥2.255
37 对比
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V ±20V -26A 60W 40mΩ@-20A,-10V -55℃~175℃

暂无价格 0 对比
SPD30P06P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD30P06PGBTMA1_60V 30A 75mΩ -10V 125W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AUIRFR5305TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V -55°C~175°C(TJ) 31A 65mΩ 20V 110W P-Channel 车规

暂无价格 0 对比

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