IRFR5305PBF 与 SUD19P06-60-GE3 区别
| 型号 | IRFR5305PBF | SUD19P06-60-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR5305PBF | A-SUD19P06-60-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 55 V 89 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@16A,10V | 60 mOhms @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 31A | 18.3A(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 73 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR5305PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
65mΩ@16A,10V ±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) P-Channel 55V 31A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 对比 |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 73 | 对比 |
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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