IRFR48ZTRPBF 与 STD60NF55LT4 区别
| 型号 | IRFR48ZTRPBF | STD60NF55LT4 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRFR48ZTRPBF | A36-STD60NF55LT4 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 55 V 11 mOhm 60 nC 91 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA | MOSFET N-CH 55V 60A DPAK | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 91W(Tc) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 55V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 62A | - | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1720pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1720pF @ 25V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 11mΩ@37A,10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRFR48ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 91W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@37A,10V N-Channel 55V 62A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥2.124
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19,449 | 对比 | ||||||||||
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥1.3995
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2,645 | 对比 | ||||||||||
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STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
¥5.964
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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BUK7212-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 12mΩ@25A,10V 167W -55°C~185°C ±20V 55V 75A |
¥18.7846
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2,299 | 对比 |