IRFR48ZTRPBF 与 STD60NF55LT4 区别
| 型号 | IRFR48ZTRPBF | STD60NF55LT4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR48ZTRPBF | A-STD60NF55LT4 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 11 mOhm 60 nC 91 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA | MOSFET N-CH 55V 60A DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11mΩ@37A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 91W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 62A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 50µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1720pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 50µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1720pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR48ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 91W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@37A,10V N-Channel 55V 62A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||
|
BUK7212-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 12mΩ@25A,10V 167W -55°C~185°C ±20V 55V 75A |
暂无价格 | 2,299 | 对比 | ||||
|
AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.2005
|
0 | 对比 | ||||
|
|
STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
BUK7215-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 115W 175°C 3V 55V 62A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
