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IRFR430APBF  与  IRFR825TRPBF  区别

型号 IRFR430APBF IRFR825TRPBF
唯样编号 A-IRFR430APBF A-IRFR825TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.7Ω@3A,10V 1.3Ω@3.7A,10V
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 119W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 - D-Pak
连续漏极电流Id 5A(Tc) 6A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1346pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 490pF @ 25V 1346pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V 34nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR430APBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 500V 5A(Tc) ±30V 110W(Tc) 1.7Ω@3A,10V -55°C~150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD5NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.717 

阶梯数 价格
20: ¥2.717
76 对比
STD5N52K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR825TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.3Ω@3.7A,10V N-Channel 500V 6A D-Pak

暂无价格 0 对比
STD5N52K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR812TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 78W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 2.2Ω@2.2A,10V N-Channel 500V 3.6A D-Pak

暂无价格 0 对比

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