IRFR4104TRRPBF 与 SUD50N04-8M8P-4GE3 区别
| 型号 | IRFR4104TRRPBF | SUD50N04-8M8P-4GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR4104TRRPBF | A3-SUD50N04-8M8P-4GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.5mΩ@42A,10V | 8.8mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | 3.1W(Ta),48.1W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 42A(Tc) | 14A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 系列 | - | SUD |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 56nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2950pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 89nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 7,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR4104TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 42A(Tc) ±20V 140W(Tc) 5.5mΩ@42A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A |
￥3.0573
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0 | 对比 | ||||
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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