IRFR3910TRPBF 与 DMN10H099SK3-13 区别
| 型号 | IRFR3910TRPBF | DMN10H099SK3-13 | ||
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| 唯样编号 | A-IRFR3910TRPBF | A3-DMN10H099SK3-13 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 100 V 0.115 Ohm 44 nC 79 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 115mΩ@10A,10V | 80mΩ@3.3A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 79W | 34W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 16A | 17A | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1172pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25.2nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRFR3910TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 79W 115mΩ@10A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 16A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
￥1.1633
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283 | 对比 | ||||||||||
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IRFR3910TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 115mΩ@10A,10V N-Channel 100V 16A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
￥1.4011
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0 | 对比 | ||||||||||
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BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 89W 175°C 3V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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