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IRFR3910TRPBF  与  DMN10H099SK3-13  区别

型号 IRFR3910TRPBF DMN10H099SK3-13
唯样编号 A-IRFR3910TRPBF A-DMN10H099SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.115 Ohm 44 nC 79 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 17A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@10A,10V 80mΩ@3.3A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W 34W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 17A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1172pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 N-Channel 79W 115mΩ@10A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 16A

暂无价格 0 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.32
4,812 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
IRFR3910TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 115mΩ@10A,10V N-Channel 100V 16A D-Pak

暂无价格 0 对比
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7275-100A_SOT428 N-Channel 89W 175℃ 3V 100V 21.7A

¥5.6376 

阶梯数 价格
490: ¥5.6376
1,000: ¥4.3702
1,250: ¥3.5821
2,500: ¥3.2863
0 对比
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A

暂无价格 0 对比

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