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IRFR3806TRPBF  与  AUIRFR3806  区别

型号 IRFR3806TRPBF AUIRFR3806
唯样编号 A-IRFR3806TRPBF A-AUIRFR3806
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@25A,10V 15.8mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) 71W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 43A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V 1150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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