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IRFR3711ZTRPBF  与  AOD472  区别

型号 IRFR3711ZTRPBF AOD472
唯样编号 A-IRFR3711ZTRPBF A-AOD472
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.7mΩ@15A,10V 6 mΩ @ 30A,10V
漏源极电压Vds 20V 25V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 2.5W(Ta),60W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak TO-252,(D-Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 93A 55A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.45V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2160pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 50nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.45V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2160pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3711ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.7mΩ@15A,10V N-Channel 20V 93A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IRFR3711TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),120W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.5mΩ@15A,10V N-Channel 20V 100A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD50N03S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S207ATMA1_30V 50A 7.3mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOD472 AOS  数据手册 功率MOSFET

55A(Tc) N-Channel ±20V 6 mΩ @ 30A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),60W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 25V

暂无价格 0 对比
IPD50N03S207ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2-07_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFR3711TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 20V 100A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),120W(Tc) 6.5mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

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