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IRFR3710ZTRPBF  与  IPD35N10S3L-26  区别

型号 IRFR3710ZTRPBF IPD35N10S3L-26
唯样编号 A-IRFR3710ZTRPBF A-IPD35N10S3L-26
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@33A,10V 24mΩ
上升时间 - 4ns
Qg-栅极电荷 - 30nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 TO-252-3 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 56A 35A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 3ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 71W
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS-T
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3710ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD2910 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥2.2 

阶梯数 价格
30: ¥2.2
100: ¥1.705
1,230 对比
AOD4126 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±25V 43A 100W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥4.246 

阶梯数 价格
20: ¥4.246
100: ¥3.542
449 对比
IRFR3411TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 32A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L-26 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L26ATMA1_100V 35A 24mΩ 10V 71W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFR3710ZTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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