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IRFR3710ZTRLPBF  与  IRFR3710ZTRPBF  区别

型号 IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRPBF
唯样编号 A-IRFR3710ZTRLPBF A-IRFR3710ZTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@33A,10V 18mΩ@33A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 56A 56A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V 2930pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V 2930pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V 100nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3710ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD2910 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥2.2 

阶梯数 价格
30: ¥2.2
100: ¥1.705
1,230 对比
AOD4126 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±25V 43A 100W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥4.246 

阶梯数 价格
20: ¥4.246
100: ¥3.542
449 对比
IRFR3710ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A TO-252-3

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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