IRFR3518PBF 与 SUD40N08-16-E3 区别
| 型号 | IRFR3518PBF | SUD40N08-16-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR3518PBF | A3t-SUD40N08-16-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 | Single N-Channel 80 V 0.016 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 6.22mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ | 16 mOhms @ 40A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 封装/外壳 | - | TO-252 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 38A | 40A(Tc) |
| 长度 | 6.73mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1710pF @ 25V | - |
| 高度 | 2.39mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | - |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 漏源极电压Vds | - | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W | 3W(Ta),136W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | HEXFET | - |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR3518PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 38A 29mΩ 110W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SUD40N08-16-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 16 mOhms @ 40A,10V 3W(Ta),136W(Tc) TO-252 -55°C~175°C 80V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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