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IRFR3411TRPBF  与  SUD35N10-26P-GE3  区别

型号 IRFR3411TRPBF SUD35N10-26P-GE3
唯样编号 A-IRFR3411TRPBF A-SUD35N10-26P-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC 130 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 SUD35N10-26P Series N-Channel 100 V 0.026 Ohms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V 26m Ohms@12A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 8.3W(Ta),83W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,Dpak,SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32A 35A(Tc)
系列 HEXFET® TrenchFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V 2000pF @ 12V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V 47nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 7V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 80
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3411TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 32A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD464 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 105V ±25V 40A 100W 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
BUK7240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 114W -55°C~175°C ±20V 100V 34A

暂无价格 0 对比
BUK9240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 114W 175°C 1.5V 100V 33A

暂无价格 0 对比
BUK9240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 114W 175°C 1.5V 100V 33A

暂无价格 0 对比
SUD35N10-26P-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100V 35A(Tc) ±20V 8.3W(Ta),83W(Tc) 26m Ohms@12A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 80 对比

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