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IRFR2607ZTRPBF  与  IPD30N10S3L34ATMA1  区别

型号 IRFR2607ZTRPBF IPD30N10S3L34ATMA1
唯样编号 A-IRFR2607ZTRPBF A-IPD30N10S3L34ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 57W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@30A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 75V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1976pF @ 25V
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 42A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 29uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 31 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1440pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR2607ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 42A(Tc) 22mΩ@30A,10V DPAK

暂无价格 0 当前型号
BUK7219-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7219-55A_SOT428 N-Channel 114W 175℃ 3V 55V 55A

¥7.8553 

阶梯数 价格
490: ¥7.8553
1,000: ¥6.0894
1,250: ¥4.9913
2,500: ¥4.5792
0 对比
BUK9226-75A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9226-75A_SOT428 N-Channel 114W 175℃ 1.5V 75V 45A

暂无价格 0 对比
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N10S3L-34_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK7222-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7222-55A_SOT428 N-Channel 103W 175℃ 3V 55V 48A

¥12.1056 

阶梯数 价格
400: ¥12.1056
1,000: ¥8.3487
1,250: ¥7.0752
2,500: ¥5.7993
0 对比
BUK9222-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9222-55A_SOT428 N-Channel 103W 175℃ 1.5V 55V 48A

¥10.511 

阶梯数 价格
400: ¥10.511
1,000: ¥7.786
1,250: ¥6.0828
2,500: ¥4.9859
0 对比

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