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IRFR24N15DTRPBF  与  AOD256  区别

型号 IRFR24N15DTRPBF AOD256
唯样编号 A-IRFR24N15DTRPBF A-AOD256
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 95mΩ@14A,10V 85mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 100mΩ
Qgd(nC) - 1.2
栅极电压Vgs ±30V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 6.5
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 24A 19A
Ciss(pF) - 1165
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 37
Td(off)(ns) - 23
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 83W
Qrr(nC) - 265
VGS(th) - 2.8
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
Coss(pF) - 61.5
Qg*(nC) - 7
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR24N15DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 95mΩ@14A,10V N-Channel 150V 24A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD4454 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 20A 100W 94mΩ@10V

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.519
258 对比
AOD256 AOS 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 19A 83W 85mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOD256 AOS 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 19A 83W 85mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOD4454 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 20A 100W 94mΩ@10V

¥4.2257 

阶梯数 价格
510: ¥4.2257
1,000: ¥3.3047
2,500: ¥2.5777
0 对比

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