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IRFR220NTRPBF  与  ZXMN20B28KTC  区别

型号 IRFR220NTRPBF ZXMN20B28KTC
唯样编号 A-IRFR220NTRPBF A3-ZXMN20B28KTC
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 750 mO 8.1 nC Surface Mount Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@2.9A,10V 750mΩ@2.75A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 43W(Tc) 2.2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 2.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V 358pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V 8.1nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR220NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 2,000 当前型号
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.2W(Ta) 750mΩ@2.75A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 200V 2.3A

暂无价格 0 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD450 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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