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IRFR220NTRLPBF  与  STD5N20LT4  区别

型号 IRFR220NTRLPBF STD5N20LT4
唯样编号 A-IRFR220NTRLPBF A3-STD5N20LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 600 mOhm 23 nC 43 W Silicon SMT Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@2.9A,10V -
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 43W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 5A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR220NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IRFR220NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 2,000 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD450 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR220NTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 5A(Tc) ±20V 43W(Tc) 600mΩ@2.9A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

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