IRFR18N15DTRPBF 与 SUD15N15-95-E3 区别
| 型号 | IRFR18N15DTRPBF | SUD15N15-95-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR18N15DTRPBF | A3t-SUD15N15-95-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 110 W 28 nC HexfetPower Mosfet Surface Mount - TO-252AA | Single N-Channel 150 V 0.095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 125mΩ@11A,10V | 95mΩ@15A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | 2.7W(Ta),62W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | DPAK |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 18A | 15A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | 2V @ 250µA(最小) |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 900pF @ 25V | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 43nC @ 10V | 25nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 900pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 43nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR18N15DTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 125mΩ@11A,10V N-Channel 150V 18A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SUD15N15-95-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 15A(Tc) ±20V 2.7W(Ta),62W(Tc) 95mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 150V 15A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUD15N15-95-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 15A(Tc) ±20V 2.7W(Ta),62W(Tc) 95mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 150V 15A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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