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IRFR18N15DTRLP  与  SUD15N15-95-E3  区别

型号 IRFR18N15DTRLP SUD15N15-95-E3
唯样编号 A-IRFR18N15DTRLP A3t-SUD15N15-95-E3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 125mΩ@11A,10V 95mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) - 2.7W(Ta),62W(Tc)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK DPAK
连续漏极电流Id 18A(Tc) 15A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA(最小)
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR18N15DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 18A(Tc) 125mΩ@11A,10V DPAK

暂无价格 0 当前型号
SUD15N15-95-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 15A(Tc) ±20V 2.7W(Ta),62W(Tc) 95mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 150V 15A

暂无价格 0 对比
SUD15N15-95-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 15A(Tc) ±20V 2.7W(Ta),62W(Tc) 95mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 150V 15A

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