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IRFR15N20DTRPBF  与  STD16NF25  区别

型号 IRFR15N20DTRPBF STD16NF25
唯样编号 A-IRFR15N20DTRPBF A3-STD16NF25
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 140 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA N-Channel 250 V 0.235 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 235mΩ@6.5A,10V
漏源极电压Vds 200V 250V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),140W(Tc) 100W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-PAK(TO-252AA) DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 14A
系列 HEXFET® STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 25V 680pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 18nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,000 2,500
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR15N20DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 2,000 当前型号
STD20NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 7,500 对比
STD17NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
STD16NF25 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 100W(Tc) 235mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 250V 14A

暂无价格 2,500 对比
STD17NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD20NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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