IRFR15N20DPBF 与 SUD19N20-90-E3 区别
| 型号 | IRFR15N20DPBF | SUD19N20-90-E3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR15N20DPBF | A36-SUD19N20-90-E3-1 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.09 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ@10A,10V | 90mΩ@5A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),140W(Tc) | 3W(Ta),136W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | D-Pak | DPAK | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 17A | 19A | ||||
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 910pF @ 25V | 1800pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | 51nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 6V,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 910pF @ 25V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 4,087 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRFR15N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SUD19N20-90-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 19A(Tc) ±20V 3W(Ta),136W(Tc) 90mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 200V 19A |
￥5.0559
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4,087 | 对比 | ||||||
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SUD19N20-90-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 19A(Tc) ±20V 3W(Ta),136W(Tc) 90mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 200V 19A |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||
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SUD19N20-90-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 19A(Tc) ±20V 3W(Ta),136W(Tc) 90mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 200V 19A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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