IRFR120ZTRPBF 与 RSD050N10TL 区别
| 型号 | IRFR120ZTRPBF | RSD050N10TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR120ZTRPBF | A-RSD050N10TL |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | IRFR120Z Series 100 V 8.7 A 190 mOhm SMT HEXFET® Power MOSFET - TO-252AA | MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 15W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ@5.2A,10V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 10V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 35W | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 530pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-253-2 | CPT3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8.7A | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 190 毫欧 @ 5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 14nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR120ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-253-2 N-Channel 35W 190mΩ@5.2A,10V -55°C~175°C ±20V 10V 8.7A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||
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RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.6215
|
175 | 对比 | ||||||||
|
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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|
RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 210mΩ@5.6A,10V N-Channel 100V 9.4A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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