首页 > 商品目录 > > > > IRFR120TRPBF代替型号比较

IRFR120TRPBF  与  IRFR120ZPBF  区别

型号 IRFR120TRPBF IRFR120ZPBF
唯样编号 A-IRFR120TRPBF A-IRFR120ZPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 Single N-Channel 100 V 35 W 6.9 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.5W,42W 35W(Tc)
漏源极电压Vds 100V 100V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 7.7A(Tc) 8.7A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 270 mOhms @ 4.6A,10V 190mΩ@5.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 310pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR120TRPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 当前型号
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 12A(Tc)

¥1.86 

阶梯数 价格
30: ¥1.86
100: ¥1.44
602 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR120ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-253-2 N-Channel 35W 190mΩ@5.2A,10V -55°C~175°C ±20V 10V 8.7A

暂无价格 0 对比
IRFR120ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 35W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 190mΩ@5.2A,10V N-Channel 100V 8.7A D-Pak

暂无价格 0 对比
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 75mΩ@10V 89W 175°C 3V 100V 21.7A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售