IRFR120NTRPBF 与 DMN10H170SK3-13 区别
| 型号 | IRFR120NTRPBF | DMN10H170SK3-13 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR120NTRPBF | A36-DMN10H170SK3-13 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 210mΩ@5.6A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 48W | 42W(Tc) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 140mΩ@5A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1167 pF @ 25 V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 9.7 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 9.4A | 12A(Tc) | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 2,000 | 122 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRFR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||
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DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 12A(Tc) |
￥1.43
|
122 | 对比 | ||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 210mΩ@5.6A,10V N-Channel 100V 9.4A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFR120ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 35W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 190mΩ@5.2A,10V N-Channel 100V 8.7A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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