IRFR120NPBF 与 SIHLR120-GE3 区别
| 型号 | IRFR120NPBF | SIHLR120-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR120NPBF | A3t-SIHLR120-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single HexFet 100 V 48 W 25 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 210mΩ@5.6A,10V | 270 mOhms @ 4.6A,5V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 48W(Tc) | 2.5W,42W |
| Vgs(th) | - | 2V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 9.4A | 7.7A(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 330pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
210mΩ@5.6A,10V ±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 9.4A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHLR120-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,5V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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