IRFR1205TRLPBF 与 SUD50N06-09L-E3 区别
| 型号 | IRFR1205TRLPBF | SUD50N06-09L-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR1205TRLPBF | A-SUD50N06-09L-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 107 W 65 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | Single N-Channel 60 V 0.0093 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@26A,10V | 9.3mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 107W(Tc) | 3W(Ta),136W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 44A | 50A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1300pF @ 25V | 2650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 65nC @ 10V | 70nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1300pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 65nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR1205TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 27mΩ@26A,10V N-Channel 55V 44A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SUD50N06-09L-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 60V 50A 9.3mΩ@20A,10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUD50N06-09L-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 60V 50A 9.3mΩ@20A,10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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